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產(chǎn)品介紹

3C N型SiC具有更高的電子遷移率（3C-SiC，1100 cm²/V?s；4H-SiC，900 cm²/V?s），同時由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度，可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性，能大幅度提高器件產(chǎn)品良率。

主要指標

晶型：3C     尺寸：50.8±0.38 mm              

厚度：350±25μm   微管密度：＜0.1 cm^-2

電阻率≤0.0006 Ω?cm

產(chǎn)品咨詢：劉先生18611467681